La máquina Canon FPA-1200NZ2C le compite a de ASML UVE por la 1/10 parte del precio
Por Orlando Rojas Pérez – Desde el año 2004 Canon comenzó a desarrollar su tecnología de Litografía por Nanoimpresión -NIL-, la cual utiliza prácticamente la misma tecnología de las impresoras por inyección de tinta, que conoce perfectamente. En el año 2017, entregó su primera máquina FPA-1200NZ2C a Toshiba para producir módulos de memoria y con varias optimizaciones esta máquina ya le compite a las mejores máquinas del fabricante mundial líder en litografía para semiconductores que es ASML de Holanda, con sus máquinas la puesta a punto de esta máquina ha sido tan desafiante como la que ha seguido ASML durante el desarrollo de sus equipos de Litografía por Ultravioleta Extremo -UVE-. Canon afirma que con esa máquina puede llegar a imprimir con tecnología @ 2 nm.
La nueva máquina que despachará antes de final de año Canon, será para el Instituto de Electrónica de Texas, con el respaldo de la Universidad de Texas en Austin y de gobiernos federales y locales, empresas de semiconductores e instituciones de investigación.
Como lo publicanos desde el 7 de noviembre del año 2023, Canon ya le compite a ASML y a sus máquinas EUV.
Ver nota:
Con tecnología de inyección de tinta canon produce escáner de nanoimpresión para chips de 5 nm
http://www.evaluamos.com/2017/?home/detail/18664
SUS GRANDES DIFERENCIAS
La principal y gran diferencia entre la máquina UVE de ASML y la Canon por NIL, es que la holandesa vale 150 millones de dólares y la japonesa solamente 15 millones de dólares, es decir la décima parte. La otra diferencia es que consume menos energía.
CARACTERÍSTICAS DE LA CANON FPA-120
A diferencia de los equipos de fotolitografía convencionales, que transfieren un patrón de circuito proyectándolo sobre la oblea recubierta de resina, el nuevo producto de Canon lo hace presionando una máscara impresa con el patrón de circuito sobre la resina sobre la oblea como si fuera un sello. Debido a que su proceso de transferencia de patrón de circuito no pasa por un mecanismo óptico, los patrones de circuitos finos sobre la máscara se pueden reproducir fielmente sobre la oblea. De este modo, se pueden formar patrones de circuitos complejos bidimensionales o tridimensionales en una sola impresión, lo que puede reducir el costo de propiedad -CoP-.
La tecnología del Equipo de Litografía por Nanoimpresión -NIL- de Canon permite la creación de patrones con un ancho de línea mínimo de 14 nanómetros -nm-, equivalente al nodo de 5 nm necesario para producir con una de las tecnologías de semiconductores lógicos más avanzados que está disponible en la actualidad. Con una mejora adicional de la tecnología de máscara, se espera que NIL permita la creación de patrones de circuitos con un ancho de línea mínimo de 10 nm, que corresponde a un nodo de 2 nm.
El nuevo producto emplea una tecnología de control ambiental recientemente desarrollada que suprime la contaminación con partículas finas en el equipo. Esto permite una alineación de alta precisión, necesaria para la fabricación de semiconductores con un número cada vez mayor de capas y la reducción de defectos debidos a partículas finas, y permite la formación de circuitos finos y complejos, lo que contribuye a la fabricación de dispositivos semiconductores de vanguardia.
Dado que el nuevo producto no requiere una fuente de luz con una longitud de onda especial para circuitos finos, puede reducir significativamente el consumo de energía en comparación con el equipo de fotolitografía para los semiconductores lógicos más avanzados actualmente -nodo de 5 nm con un ancho de línea de 15 nm-, lo que significa una gran reducción en la generación de CO2.
e
Ver nota:
Unidades SSD y memorias RAM, bajarán de precio
Por la mala situación de la economía mundial y por la recesión.
http://www.evaluamos.com/?home/detail/19049
Comentarios (0)
- Registrese para enviar un nuevo comentario.
