MIT construye transistor 3D @ 6 nm y los electrones se teletransportan
Por Orlando Rojas Pérez – Con fondos y con el apoyo de Intel, MIT construyó un transistor 3D con tecnología de 6 nanómetros, con varias innovaciones, en lugar de silicio utilizan como materiales: antimoniuro de galio y arseniuro de indio. Lograron que, por un túnel cuántico, los electrones se teletransporten por intermedio de una barrera aislante en lugar de atravesarla. Con esto lograron superar el famoso efecto de la tiranía de Boltzmann, que, a temperatura ambiente, fija un límite mínimo de voltaje para que el transistor se active y opere y así los transistores operan a un voltaje muchos más bajo. Esto es un gran límite para los transistores fabricados con silicio, que exigen este mínimo voltaje para prenderse y apagarse. Lograron fabricar nano-cables para conexiones verticales -3D- de un diámetro de solamente 6 nanómetros. Al final en las pruebas con todo esto lograron velocidades de prender–apagar -conmutación- 20 veces superiores a lo logrado hasta ahora.
El reto ahora es lograr la unificación de la calidad para que todos los transistores fabricados con esta tecnología tengan la misma uniformidad de nano escala en todo el procesador.
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